[发明专利]内连线结构的形成方法无效
| 申请号： | 201110037587.X | 申请日： | 2011-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102194739A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 王冠程;施伯铮;柯忠祁;林耕竹;郑双铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;刘文意 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种内连线结构的形成方法，在内连线结构的形成中，于介电层内形成金属图形，使用前驱物以及包含碳的碳源气体作为前驱物，在金属图形及介电层之上形成蚀刻停止层，碳源气体中不含有二氧化碳，前驱物则选自于由1-甲基硅烷、2-甲基硅烷、3-甲基硅烷、4-甲基硅烷以及前述的组合所组成的群组。采用本发明提供的内连线结构的形成方法，实验显示蚀刻停止层具有非常低的介电常数值，其可介于约3.0至约4.0之间。 | ||
| 搜索关键词： | 连线 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种内连线结构的形成方法，包括：提供一介电层；形成一金属图形在该介电层内；以及使用多个前驱物，形成一蚀刻停止层在该金属图形与该介电层之上，该蚀刻停止层与该金属图形及该介电层接触，且其中所述多个前驱物包括：一含有硅与碳的额外前驱物；以及一含有碳的碳源气体，其中该碳源气体中不含二氧化碳。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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