[发明专利]半导体结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201110037702.3 | 申请日： | 2011-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN102569365A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 方国龙;郭奇文;郭政达 | 申请（专利权）人： | 隆达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/30 | 分类号： | H01L29/30;H01L29/34;H01L21/02;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构，包括：一基板；一个或多个半导体元件层，形成于该基板上；以及一个或多个晶格破坏区，形成于该基板表面，位于该等半导体元件层之间。本发明另提供一种半导体结构的制造方法。本发明可减少应力形变，致增加半导体元件例如发光二极管(LED)的发光波长均一性，达到增加良率产出的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：一基板；一个或多个半导体元件层，形成于该基板上；以及一个或多个晶格破坏区，形成于该基板表面，位于该等半导体元件层之间。
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