[发明专利]一种通过中低频磁脉冲制备铁基纳米晶材料的方法无效
| 申请号： | 201110037735.8 | 申请日： | 2011-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN102094156A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 晁月盛;杜安;邹壮辉;张延辉 | 申请（专利权）人： | 东北大学 |
| 主分类号： | C22C45/02 | 分类号： | C22C45/02;H01F1/153 |
| 代理公司： | 沈阳东大专利代理有限公司 21109 | 代理人： | 李在川 |
| 地址： | 110819 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及软磁材料制备技术领域，具体涉及一种通过中低频磁脉冲制备铁基纳米晶材料的方法。首先在真空度小于5×10-3Pa下，将合金原料在真空高频炉或电弧炉中熔炼成母合金熔体；然后在真空度为2×10-3Pa，氩气气氛保护下，将母合金熔体注入真空单辊熔体急冷设备中把母合金制成非晶薄带，冷却辊表面线速度45-49m/s，石英喷嘴与铜辊的距离0.5mm，喷嘴出口熔体过热度50K；最后在多功能程控脉冲磁场产生器中对非晶薄带进行磁脉冲处理，磁脉冲场强Hp=100～400Oe，频率f=20～2000Hz，作用时间tp=5min～10min，得到非晶纳米晶材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 低频 脉冲 制备 纳米 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种通过中低频磁脉冲制备铁基纳米晶材料的方法，其特征在于按如下步骤进行：（1）将非晶母合金原料熔炼成母合金熔体；（2）把母合金熔体制成非晶薄带；（3）在多功能程控脉冲磁场产生器中对非晶薄带进行磁脉冲处理，磁脉冲场强Hp=100～400Oe，频率f=20～200Hz，作用时间tp=5min～30min，得到非晶纳米晶材料；（4）在550℃温度条件下，对非晶纳米晶材料退火1小时，得到最终产品。
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