[发明专利]一种Ta-C-N薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201110037849.2 | 申请日： | 2011-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN102127743A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 严学华;尹君;程晓农 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/02 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种Ta-C-N薄膜的制备方法，涉及薄膜制备技术领域。先对单晶Si基片按常规工艺进行表面活化处理，把Ta靶材、石墨靶材和Si基片分别放入主溅射室和进样室，并对主溅射室和进样室抽真空，对Ta靶和石墨靶进行预溅射清洗以去除表面杂质；调节氮气和氩气流量（sccm）比为1:(10~100)；调节基材和靶材距离为5~15cm；调节Ta靶溅射功率在80~150W起辉溅射，石墨靶材溅射功率在100~200W起辉溅射，采用同时溅射或者分层溅射的工艺流程制备获得薄膜。溅射后从主溅射室取出试样，得到非晶态的Ta-C-N三元薄膜。本发明过程简单，易实现，合成时间短等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ta 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种 Ta‑C‑N薄膜的制备方法，其特征在于，按照以下步骤进行：（1）对靶材表面打磨，用酒精擦拭后烘干；（2）基片按常规工艺进行表面活化处理；（3）溅射工艺过程：把Ta靶材、石墨靶材和Si基片分别放入主溅射室和进样室，并对主溅射室和进样室抽真空，对钽靶和石墨靶进行预溅射清洗以去除表面杂质；调节氮气和氩气流量（sccm）比为1:(10~100)；调节基材和靶材距离为5~15cm；调节Ta靶溅射功率在80~150W起辉溅射，石墨靶材溅射功率在100~200W起辉溅射，溅射后从主溅射室取出试样，得到非晶态的Ta‑C‑N三元薄膜。
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