[发明专利]一种垂直结构白光发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201110037954.6 | 申请日： | 2011-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN102637783A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 徐亮;刘刚;郭德博;张华东 | 申请（专利权）人： | 同方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种垂直结构白光发光二极管及其制造方法，涉及半导体光电器件以及半导体照明制造领域。本发明发光二极管包括从下至上依次叠加的金属支撑衬底、金属种子层、反射金属层、P型GaN基半导体层、量子阱有源区、N型GaN基半导体层和钝化层，器件顶端的电极槽中置有N面电极。其结构特点是，所述钝化层上置有一层荧光粉层。同现有技术相比，本发明能有效提高器件的发光功率,具有工艺简单、成本不高的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 白光 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直结构白光发光二极管，它包括从下至上依次叠加的金属支撑衬底（109）、金属种子层（107）、反射金属层（106）、P型GaN基半导体层（105）、量子阱有源区（104）、N型GaN基半导体层（103）和钝化层（110），器件顶端的电极槽中置有N面电极（112），其特征在于，所述钝化层（110）上置有一层荧光粉层（111）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于同方光电科技有限公司，未经同方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110037954.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
