[发明专利]发光器件和具有发光器件的发光器件封装有效
| 申请号： | 201110038114.1 | 申请日： | 2011-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN102157653A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 宋俊午;文智炯;李尚烈;丁焕熙 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/44;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开发光器件和具有发光器件的发光器件封装。发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层，其中第一导电类型半导体层包括具有低于其第一顶表面的第二顶表面的台阶结构；绝缘层，该绝缘层被布置在发光结构的侧表面和第一导电类型半导体层的第二顶表面上；电极，该电极与第一导电类型半导体层电气地连接；第二导电类型半导体层下面的电极层；以及保护层，该保护层被布置在第二导电类型半导体层的下表面的外围部分上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 具有 封装 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层，其中所述第一导电类型半导体层包括具有低于其第一顶表面的第二顶表面的台阶结构；绝缘层，所述绝缘层被布置在所述发光结构的侧表面和所述第一导电类型半导体层的第二顶表面上；电极，所述电极与所述第一导电类型半导体层电气地连接；电极层，其在所述第二导电类型半导体层下面；以及保护层，所述保护层被布置在所述第二导电类型半导体层的下表面的外围部分上。
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