[发明专利]发光器件、发光器件封装及照明系统有效
申请号: | 201110038155.0 | 申请日: | 2011-02-11 |
公开(公告)号: | CN102157658A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 宋俊午;文智炯;李尚烈;丁焕熙;崔光基 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/36 | 分类号: | H01L33/36;H01L33/38;H01L33/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 陆弋;王伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种发光器件、发光器件封装及照明系统。该发光器件包括:发光结构层,其包括第一导电型半导体层、位于第一导电型半导体层下方的有源层及位于有源层下方的第二导电型半导体层;导电层,其位于第二导电型半导体层下方;粘附层,其位于导电层下方;支撑构件,其位于粘附层下方;接触电极,其连接到第一导电型半导体层;第一引线电极,其位于支撑构件下方;第一电极,其位于支撑构件的第一区域上并将接触电极连接到第一引线电极;第二电极,其位于支撑构件的第二区域上并连接到导电层和粘附层中的至少一个;第二引线电极,其位于支撑构件下方并连接到第二电极;以及第一绝缘层,其位于接触电极与发光结构层之间。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 封装 照明 系统 | ||
【主权项】:
一种发光器件,包括:发光结构层,所述发光结构层包括第一导电型半导体层、有源层以及第二导电型半导体层,所述有源层位于所述第一导电型半导体层下方,所述第二导电型半导体层位于所述有源层下方;导电层,所述导电层位于所述第二导电型半导体层下方;粘附层,所述粘附层位于所述导电层下方;支撑构件,所述支撑构件位于所述粘附层下方;接触电极,所述接触电极连接到所述第一导电型半导体层;第一引线电极,所述第一引线电极布置在所述支撑构件下方;第一电极,所述第一电极将所述接触电极连接到所述第一引线电极,所述第一电极布置在所述支撑构件的第一区域处;第二电极,所述第二电极连接到所述导电层和所述粘附层中的至少一个,所述第二电极布置在所述支撑构件的第二区域处;第二引线电极,所述第二引线电极连接到所述第二电极,所述第二引线电极布置在所述支撑构件下方;以及第一绝缘层,所述第一绝缘层位于所述接触电极与所述发光结构层之间。
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