[发明专利]光电检测器和使用光电检测器的空间信息检测设备有效
申请号: | 201110038275.0 | 申请日: | 2007-12-27 |
公开(公告)号: | CN102157539A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 桥本裕介;常定扶美;今井宪次;高田裕司 | 申请(专利权)人: | 松下电工株式会社 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 杜诚;贾萌 |
地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种能够改进输入信号动态范围的光电检测器。这种光电检测器包括光电转换部分(D1)、电荷分离部分(D2)、电荷积聚部分(D3)、形成在电荷分离部分(D2)和电荷积聚部分(D3)之间的势垒电极(24)、以及电气连接到势垒电极(24)的势垒高度调节部分(D4)。诸如当环境光入射在光电转换部分(D1)上时产生的不期望的电荷被电荷分离部分(D2)去除。通过根据从电荷分离部分(D2)提供到势垒高度调节部分(D4)的电荷量对势垒电极(24)施加电压,在势垒电极(24)之下形成具有合适高度的势垒。从电荷分离部分(D2)越过势垒流入电荷积聚部分(D3)的电荷被提供为光电检测器的输出。 | ||
搜索关键词: | 光电 检测器 使用 空间 信息 检测 设备 | ||
【主权项】:
一种光电检测器,包括:半导体衬底;光电转换部分,其形成在所述半导体衬底中,以产生与接收的光量相对应的电荷;电荷分离部分,其具有形成在所述半导体衬底的总体表面上的分离电极;电荷积聚部分,其具有形成在所述半导体衬底的总体表面上的积聚电极;势垒电极,其形成在所述分离电极和所述积聚电极之间所述半导体衬底的总体表面上;势垒高度调节部分,其电气连接到所述势垒电极;以及电荷去除部分;其中,所述电荷分离部分被配置为通过使用势垒从由所述光电转换部分产生的电荷中分离不期望的电荷,通过对所述势垒电极施加电压,所述势垒形成在所述势垒电极之下的所述半导体衬底中;所述势垒高度调节部分根据从所述光电转换部分提供的电荷量来确定施加到所述势垒电极的电压,以调节所述势垒的高度;所述电荷积聚部分被配置为积聚有效电荷,所述有效电荷是从所述电荷分离部分越过所述势垒流入所述电荷积聚部分的电荷;所述电荷去除部分被配置为去除由所述电荷分离部分分离的所述不期望的电荷,以及积聚在所述电荷积聚部分中的有效电荷被提供为所述光电检测器的输出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的