[发明专利]一种发射极卷包晶体硅太阳能电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种发射极卷包晶体硅太阳能电池的制备方法，该方法利用激光在硅片表面密集开孔或刻槽直至贯穿，随后进行表面清洗以及损伤层的处理，然后通过单步扩散法对其进行重掺杂，并在重掺杂硅片的上下表面孔或槽区域及附近通过丝网印刷高分子聚合物材料作为耐腐蚀阻挡层，硅片其余部分经过化学腐蚀变为轻掺杂或再经过进一步的腐蚀而抛光，随后除去耐腐蚀的阻挡层，即制备得选择性发射极卷包晶体硅太阳能电池。采用本发明方法制成的太阳能电池工艺步骤相对简单、且容易实现规模化生产，能够在不增加制作成本的情况下通过选择性发射极卷包结构提高电池以及组件的转换效率。

主权项

一种发射极卷包晶体硅太阳能电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)采用单步高温扩散的硅片的磷源或硼源为液态POCl3或BBr3制备p‑n结；(2)采用平均功率15～80W、波长1100～330nm的脉冲或连续激光束，在经过聚焦后达到微米量级直径的光斑照射到硅片表面开孔或刻槽直至贯穿，形成交叉状的栅线；(3)化学方法清洗激光损伤层：采用化学腐蚀液对孔或槽及内部进行清洗并去除损伤层；(4)耐腐蚀阻挡层的制备：在重掺杂的硅片的上下表面孔或槽区域及附近通过丝网印刷高分子聚合物材料作为耐腐蚀阻挡层，以阻止化学腐蚀液对孔或槽重扩散区的腐蚀；(5)选择发射极卷包结构制备的化学腐蚀：采用化学腐蚀液对硅片非耐腐蚀阻挡层区进行腐蚀；(6)耐腐蚀阻挡层的去除：采用化学试剂将耐腐蚀阻挡层剥离；(7)选择发射极卷包晶体硅太阳能电池的制备：基于太阳电池的常规工艺包括制绒、丝网印刷、烧结制成选择性发射极卷包晶体硅太阳能电池。