[发明专利]半导体探测器γ/X射线电荷收集效率的测量方法及系统有效

专利信息
申请号: 201110038487.9 申请日: 2011-02-15
公开(公告)号: CN102636805A 公开(公告)日: 2012-08-15
发明(设计)人: 欧阳晓平;雷岚;谭新建 申请(专利权)人: 西北核技术研究所
主分类号: G01T1/24 分类号: G01T1/24
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 王少文
地址: 710024 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及半导体探测器γ/X射线电荷收集效率的测量方法及系,包括以下步骤:1.1]确定所需杂散电子过滤片的厚度,并将其紧贴式放置在待测半导体探测器前端;1.2]测量待测半导体探测器对辐射响应的信号电流计算单位时间内辐射在待测半导体探测器内产生的总电荷量Imth;1.3]计算待测半导体探测器γ/X射线电荷收集效率η:本发明解决了现有实验技术在测量半导体探测器γ/X射线电荷收集效率时,由于实验环境中杂散电子产生了严重的干扰信号而无法获得正确测量结果的技术问题。本发明为半导体探测器在γ/X射线作用下的电荷收集效率测量提供了崭新方法。
搜索关键词: 半导体 探测器 射线 电荷 收集 效率 测量方法 系统
【主权项】:
1.一种半导体探测器γ/X射线电荷收集效率的测量方法,包括以下步骤:1.1]确定所需杂散电子过滤片的厚度,并将其紧贴式放置在待测半导体探测器前端;1.2]测量待测半导体探测器对辐射响应的信号电流计算单位时间内辐射在待测半导体探测器内产生的总电荷量Imth;1.3]计算待测半导体探测器γ/X射线电荷收集效率η:η=ImeImth.]]>
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