[发明专利]带有改良型源极传感布局的屏蔽栅极沟槽MOS

摘要

本发明涉及一种用于制备半导体器件的方法，包括利用第一掩膜形成多个沟槽。沟槽包括源极传感沟槽，位于终止区外面以及两个相邻的有源区之间。利用第二掩膜，制成一个中间介质区，将第一和第二传导区分隔开。利用第三掩膜，形成连接到第一传导区的第一导电接头，以及连接到第二传导区的第二导电接头，并形成一个源极金属区。利用第四掩膜，形成到栅极金属区的接触。半导体器件含有一个源极传感接头，位于终止区外面以及器件的有源区外面。

主权项

一种用于制备半导体器件的方法，包括：a)利用第一掩膜，制备多个沟槽，所述沟槽包括位于有源区中的有源栅极沟槽，位于含有有源栅极沟槽的有源区外面的终止区中的栅极浇道/终止沟槽以及源极传感沟槽；b)在多个沟槽中制备第一传导区；c)利用第二掩膜，制备一个中间介质区以及一个终止保护区；d)在至少某些沟槽中，制备第二传导区；e)利用第三掩膜，形成到第二传导区的第一电接触以及在位于终止区中的源极传感沟槽中，形成到第一传导区的第二电接触；f)沉积一个金属层；及g)利用第四掩膜，从金属层中，形成一个源极金属区以及一个栅极金属区。