[发明专利]成膜方法、成膜装置及成膜装置的使用方法有效
申请号: | 201110039021.0 | 申请日: | 2011-02-15 |
公开(公告)号: | CN102162089A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | 佐藤润;木镰英司;问谷昌孝;柴田哲弥 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40;C23C16/455;C23C16/52 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种成膜方法、成膜装置和成膜装置的使用方法,该成膜方法交替重复多次成膜处理和氧化吹扫处理,该成膜处理在处理容器内使用Si源气体和氧化剂在被处理体的表面形成SiO2膜,该氧化吹扫处理在将上述被处理体自上述处理容器搬出的状态下,不穿插用于除去堆积于上述处理容器内的膜的处理就一边对上述处理容器内进行排气一边对上述堆积的膜实施氧化。 | ||
搜索关键词: | 方法 装置 使用方法 | ||
【主权项】:
一种成膜方法,其特征在于,该成膜方法交替重复多次成膜处理和氧化吹扫处理,该成膜处理在处理容器内使用Si源气体和氧化剂在被处理体的表面形成SiO2膜,该氧化吹扫处理在将上述被处理体自上述处理容器搬出的状态下,不穿插用于除去堆积于上述处理容器内的膜的处理就一边对上述处理容器内进行排气一边对上述堆积的膜实施氧化。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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