[发明专利]用于多晶铸锭炉的气体冷却装置及方法无效

专利信息
申请号: 201110040032.0 申请日: 2011-02-17
公开(公告)号: CN102071454A 公开(公告)日: 2011-05-25
发明(设计)人: 高宇;傅林坚;石刚;叶欣 申请(专利权)人: 浙江晶盛机电股份有限公司
主分类号: C30B11/00 分类号: C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06
代理公司: 杭州中成专利事务所有限公司 33212 代理人: 金祺
地址: 312300 浙江省绍兴*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及铸造法生长硅晶体的装置,旨在提供一种用于多晶铸锭炉的气体冷却装置及方法。该气体冷却装置设于铸锭炉内热场下方,是内部带有气流通道的石墨体。本发明的冷却方法是在铸锭炉内热场下方设置内部带有气流通道的石墨体;使惰性气体从气流通道的进气口进入,气体流经石墨体内部并带走热量,然后从气流通道的出气口排出。本发明通过在热场底部增加一个主动散热的气体冷却装置,并通过调节通入装置内的气体流量控制主动散热幅度,能够主动的控制晶体下方散热速率,有效控制晶体生长速度。
搜索关键词: 用于 多晶 铸锭 气体 冷却 装置 方法
【主权项】:
用于多晶铸锭炉的气体冷却装置,设于铸锭炉内热场下方,其特征在于,该气体冷却装置是内部带有气流通道的石墨体。
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