[发明专利]半导体用粘接膜、复合片及使用它们的半导体芯片的制造方法无效
| 申请号： | 201110040150.1 | 申请日： | 2008-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102134451A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 中村祐树;北胜勉;片山阳二;畠山惠一 | 申请（专利权）人： | 日立化成工业株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/00 | 分类号： | C09J7/00;C09J179/08;C09J183/10;C09J7/02;H01L21/58;H01L21/68;H01L21/78;H01L23/29 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： |
本发明提供一种半导体用粘接膜，其能够在低温下贴附在半导体晶片，可以在充分地抑制芯片裂纹或毛刺的产生的同时，以良好的产品合格率由半导体晶片得到半导体芯片。本发明的半导体用粘接膜含有聚酰亚胺树脂，可以利用含有由下述化学式(I)表示的4，4’-氧双邻苯二甲酸酐的四羧酸二酐；与含有由下述通式(II)表示的硅氧烷二胺的二胺的反应得到，能够在100℃以下贴附在半导体晶片。 |
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| 搜索关键词： | 半导体 用粘接膜 复合 使用 它们 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体用粘接薄膜，其含有聚酰亚胺树脂，并且能够在100℃以下贴附于半导体晶片，所述聚酰亚胺树脂能够利用以总体的50质量％以上的比例含有由下述化学式(I)表示的4，4’-氧双邻苯二甲酸酐的四羧酸二酐与以总体的70质量％以上的比例含有由下述通式(II)表示的硅氧烷二胺的二胺的反应来得到，![]()
式(II)中，R表示碳数为1～5的烷基、碳数为1～5的烷氧基、苯基或苯氧基，同一分子中的多个R可以相同或不同，n及m分别独立地表示1～3的整数。
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