[发明专利]二次电池和所述二次电池的制造方法有效
| 申请号： | 201110040234.5 | 申请日： | 2011-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN102195044A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 鲁世源;金性洙;金兑根;洪琎圭;崔南顺;金俊植;韩万锡;李宗勋 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/76 | 分类号： | H01M4/76;H01M4/04;H01M10/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 金拟粲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二次电池，所述二次电池包括包含内部堆叠电极和设置在所述内部堆叠电极的至少一端上的至少一个最外面电极的电极组件；以及设置为容纳所述电极组件的壳。在本文中，所述至少一个最外面电极包括非活性材料。 | ||
| 搜索关键词： | 二次 电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
二次电池，包括：包括内部堆叠电极和设置在所述内部堆叠电极的至少一端上的至少一个最外面电极的电极组件；和设置为容纳所述电极组件的壳；其中所述至少一个最外面电极包括非活性材料。
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