[发明专利]一种修饰YBCO涂层用的金属基带表面的方法无效
申请号: | 201110040909.6 | 申请日: | 2011-02-21 |
公开(公告)号: | CN102127735A | 公开(公告)日: | 2011-07-20 |
发明(设计)人: | 丁发柱;古宏伟;张腾 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电工研究所 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/24;H01B12/02;H01B13/00 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 关玲 |
地址: | 100080 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种修饰YBCO涂层用金属基带表面的方法,首先将镍钨合金基带置于真空蒸发设备的腔体内,抽真空至5×10-5Pa,加热镍钨合金基带至温度为450℃~650℃,并在该条件下持续加热镍钨合金基带一小时,把吸附在镍钨合金基带的杂质原子清除;然后向真空腔体内充Ar气和H2S气的混合气体,控制H2S气体的分压为5×10-4Pa。随后以20~40℃/min的升温速率加热镍钨合金基带至700~800℃,并保温10~20min,得到了具有c(2×2)的S超结构的镍钨合金基带。在本发明硫化表面处理的镍钨合金基带上制备的二氧化铈薄膜和YBCO涂层完全呈c轴取向。 | ||
搜索关键词: | 一种 修饰 ybco 涂层 金属 基带 表面 方法 | ||
【主权项】:
一种修饰YBCO涂层用金属基带表面的方法,其特征在于,所述的方法选用硫化氢气体对镍钨合金基带进行硫化处理,所述的硫化处理的工艺步骤如下:(1)首先将所述的镍钨合金基带置于真空蒸发设备的腔体内,抽真空至5×10‑5Pa,加热所述的镍钨合金基带至温度为450℃~650℃,并在气压为5×10‑5Pa、温度为450℃~650℃的条件下持续加热一小时,清除吸附在所述的镍钨合金基带的杂质原子;(2)然后向真空蒸发设备的腔体内充Ar气和H2S气的混合气体,控制H2S气体的分压为5×10‑4Pa;随后以20~40℃/min的升温速率加热所述的镍钨合金基带至700~800℃,并保温10~20min;(3)以20~40℃/min的降温速率将真空蒸发设备的腔体降温至室温,打开所述的腔体,取出样品,得到YBCO涂层用的具有c(2×2)的S超结构的镍钨合金基带。
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