[发明专利]一种采用含钛化合物去除工业硅中硼杂质的方法有效
| 申请号： | 201110040914.7 | 申请日： | 2011-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN102139878A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 罗学涛;卢成浩;李锦堂;黄平平;吴浩;张蓉;傅翠梨 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种采用含钛化合物去除工业硅中硼杂质的方法。属于冶金领域，提供一种采用含钛化合物去除工业硅中硼杂质的方法。包括以下步骤：将工业硅与造渣剂混合，放入石墨坩埚中，置于熔炼炉中预热至1400～1600℃；依次用机械泵、罗茨泵对熔炼炉抽真空，加热至1500～1700℃，控制中频电源频率为80～120kW；进行通气搅拌并造渣，造渣充分后的硅液浇入模具中，凝固后的硅料切除杂质得除硼后的硅料。本发明中的造渣剂效果良好，分配比可达到5以上，对比单纯的Ca系造渣剂有显著提高。显著降低了工业硅中硼含量，具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 化合物 去除 工业 硅中硼 杂质 方法 | ||
【主权项】：
一种采用含钛化合物去除工业硅中硼杂质的方法，其特征在于包括以下步骤：1)将工业硅与造渣剂按质量比1∶1～15混合，并将其压片得片状物料；2)将片状物料放入石墨坩埚中，置于熔炼炉中预热至1400～1600℃；3)依次用机械泵、罗茨泵对熔炼炉抽真空至10Pa以下，再通入氩气至10000～11000Pa；4)启动中频电源对片状物料进行加热至1500～1700℃，控制中频电源功率为80～120kW；5)将通气棒插入片状物料融化后的硅液中进行通气搅拌并造渣，通气的条件为：通气速率1.5～3L/min，通气时间10～300min；6)将步骤5)造渣充分后的硅液浇入模具中，凝固后的硅料随炉冷却，冷却后取出硅料，横向切除硅料上部10％杂质含量较多的部分，即得除硼后的硅料。
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