[发明专利]一种电流均匀分布的LED晶片无效
| 申请号： | 201110041208.4 | 申请日： | 2011-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN102142499A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 樊邦扬 | 申请（专利权）人： | 广东银雨芯片半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 529700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电流均匀分布的LED晶片，包括N型半导体层，形成于N型半导体层上的发光层；形成于发光层上的P型半导体层，所述P型半导体层表面设置有与N型半导体层连通的沟槽，形成于所述沟槽的负电极以及形成于P型半导体层的正电极，其特征在于，所述沟槽为一对称的“E”形沟槽，所述对称的“E”形沟槽布满所述N型半导体层上，所述负电极设置在所述对称的“E”形沟槽上对应形成对称的“E”形负电极，所述正电极环绕在所述对称的“E”形负电极的周围。本发明具有散热均匀、出光效率高、使用寿命长等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电流 均匀分布 led 晶片 | ||
【主权项】：
一种电流均匀分布的LED晶片，包括N型半导体层，形成于N型半导体层上的发光层，形成于发光层上的P型半导体层，所述P型半导体层表面设置有与N型半导体层连通的沟槽，形成于所述沟槽的负电极以及形成于P型半导体层的正电极，其特征在于：所述沟槽为一对称的“E”形沟槽，所述对称的“E”形沟槽布满所述N型半导体层上，所述负电极设置在所述对称的“E”形沟槽上对应形成对称的“E”形负电极，所述正电极环绕在所述对称的“E”形负电极的周围。
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