[发明专利]LED磊晶结构及制程无效
| 申请号： | 201110041286.4 | 申请日： | 2011-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN102646766A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 凃博闵;黄世晟 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/16;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LED磊晶结构及制程，包括一个基板、一个缓冲层以及一个磊晶层。所述缓冲层成长在所述基板的顶面，所述磊晶层成长在所述缓冲层的表面。所述磊晶层具有一个第一N型磊晶层以及一个第二N型磊晶层。所述第一N型磊晶层形成在所述缓冲层与所述第二N型磊晶层之间，所述第一N型磊晶层具有多数不规则空气孔洞。本发明并提供制造所述LED磊晶结构的制程。 | ||
| 搜索关键词： | led 结构 | ||
【主权项】：
一种LED磊晶结构，包括一个基板、一个缓冲层以及一个磊晶层，所述缓冲层成长在所述基板的顶面，所述磊晶层成长在所述缓冲层的表面，其特征在于：所述磊晶层具有一个第一N型磊晶层以及一个第二N型磊晶层，所述第一N型磊晶层形成在所述缓冲层与所述第二N型磊晶层之间，所述第一N型磊晶层具有多数不规则空气孔洞。
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