[发明专利]使非晶硅层结晶的方法、薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201110041351.3 | 申请日： | 2011-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN102214556A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 李东炫;李基龙;徐晋旭;郑珉在;孙榕德;苏炳洙;朴承圭;李吉远;郑胤谟;朴炳建;朴钟力;李卓泳;郑在琓 | 申请（专利权）人： | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20;H01L21/336;H01L29/786;H01L29/08;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 郭鸿禧;罗延红 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种使非晶硅层结晶的方法、利用该方法来制造薄膜晶体管的方法以及利用该制造方法制造的薄膜晶体管，所述结晶方法包括以下步骤：形成非晶硅层；在非晶硅层上彼此分开地设置结晶催化剂颗粒；从非晶硅层的一部分选择性地去除结晶催化剂颗粒；通过热处理使非晶硅层结晶。 | ||
| 搜索关键词： | 使非晶硅层 结晶 方法 薄膜晶体管 及其 制造 | ||
【主权项】：
一种结晶方法，所述结晶方法包括以下步骤：形成非晶硅层；在非晶硅层上彼此分开地设置结晶催化剂颗粒；从非晶硅层的一部分选择性地去除结晶催化剂颗粒；通过热处理使非晶硅层结晶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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