[发明专利]一种脉冲调制射频等离子体增强原子层沉积装置及方法

摘要

本发明涉及一种脉冲调制射频等离子体增强原子层沉积装置及方法，所述的脉冲调制射频等离子体增强原子层沉积装置，包括真空反应腔体，真空反应腔体内底部设有基底，真空反应腔体分别连接真空机械泵和前驱体输入管路，其特征在于，真空反应腔体内顶部设有等离子体电极，等离子体电极依次连接射频功率匹配器、脉冲调制射频电源和脉冲延时器。所述的方法为在沉积至少一种前驱体时，通过脉冲调制射频电源产生等离子体辅助沉积。本发明的优点是降低了沉积过程中离子轰击对沉积薄膜的影响，并且防止沉积过程中腔体温度的上升。

主权项

一种脉冲调制射频等离子体增强原子层沉积装置，包括真空反应腔体（11），真空反应腔体（11）内底部设有基底（13），真空反应腔体（11）分别连接真空机械泵（15）和前驱体输入管路，其特征在于，真空反应腔体（11）内顶部设有等离子体电极（12），等离子体电极（12）依次连接射频功率匹配器（16）、脉冲调制射频电源（17）和脉冲延时器（18）。