[发明专利]发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装有效
| 申请号： | 201110041638.6 | 申请日： | 2011-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN102194937A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 丁焕熙;李尚烈;宋俊午;崔光基;文智炯;姜大成 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00;B23K26/40 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装。所述发光器件包括：氮化物半导体层；在氮化物半导体层上的电极；在氮化物半导体层下面的发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、有源层、和第二导电型半导体层；以及，在发光结构下面的导电层。氮化物半导体层具有比第一导电型半导体层的带隙能量低的带隙能量。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 制造 方法 封装 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：氮化物半导体层；在所述氮化物半导体层上的电极；在所述氮化物半导体层下面的发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层、以及在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的有源层；以及，在所述发光结构下面的导电层，其中，所述氮化物半导体层具有比所述第一导电型半导体层的带隙能量低的带隙能量。
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