[发明专利]发光器件和发光器件封装有效
| 申请号： | 201110042254.6 | 申请日： | 2011-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN102163673A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 裵贞赫;郑泳奎;朴径旭;朴德炫 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/44;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光器件和发光器件封装。在一个实施例中，发光器件包括：支撑构件；在支撑构件上的发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；在支撑构件的上表面的外围区域处的保护构件；电极，该电极包括在第一导电类型半导体层上的上部、从上部延伸并且在发光结构的侧表面上的侧部、以及从侧部延伸并且在保护构件上的延伸部；以及在发光结构的侧表面和电极之间的绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 封装 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：支撑构件；在所述支撑构件上的发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；在所述支撑构件的上表面的外围区域处的保护构件；电极，所述电极包括在所述第一导电类型半导体层上的上部、从所述上部延伸且在所述发光结构的侧表面上的侧部、以及从所述侧部延伸且在所述保护构件上的延伸部；以及在所述发光结构的侧表面和所述电极之间的绝缘层。
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