[发明专利]提高双倍数据速率同步随机存储器读写速率的方法及装置有效

专利信息
申请号: 201110042297.4 申请日: 2011-02-22
公开(公告)号: CN102103548A 公开(公告)日: 2011-06-22
发明(设计)人: 黄苏 申请(专利权)人: 中兴通讯股份有限公司
主分类号: G06F12/08 分类号: G06F12/08
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 李健;龙洪
地址: 518057 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种提高DDRSDRAM读写速率的方法及装置,该方法包括:接收对应数据包读请求的读地址,将所述读地址按存储体(bank)号缓存在对应的第一先进先出队列(FIFO)中;从所述第一FIFO中的一个第一FIFO首次读出一个读地址后,如该第一FIFO中的下一个读地址与首次读出的该读地址属于同行地址,则继续读该第一FIFO,否则,按轮询的方式读下一第一FIFO。上述提高DDRSDRAM读写速率的方法及装置,降低了实现难度,提高了现场可编程门阵列(FPGA)项目的可实现性和调整力度,利用有限的资源大大提高了DDRSDRAM的读写效率。
搜索关键词: 提高 双倍 数据 速率 同步 随机 存储器 读写 方法 装置
【主权项】:
一种提高双倍数据速率(DDR)同步随机存储器(SDRAM)读写速率的方法,该方法包括:接收对应数据包读请求的读地址,将所述读地址按存储体(bank)号缓存在对应的第一先进先出队列(FIFO)中;从所述第一FIFO中的一个第一FIFO首次读出一个读地址后,如该第一FIFO中的下一个读地址与首次读出的该读地址属于同行地址,则继续读该第一FIFO,否则,按轮询的方式读下一第一FIFO。
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