[发明专利]光电转换装置的制造方法

摘要

提供了一种光电转换装置的制造方法。该光电转换装置包括：半导体基板；光电转换元件和MOS晶体管，布置在基板中；多层配线结构，包括多个配线层的叠层和使配线层隔离的层间绝缘膜。该制造方法包括：形成MOS晶体管的栅极和有源区；在基板上形成第一层间绝缘膜；在第一层间绝缘膜中形成第一孔；在第一孔中形成金属膜以形成第一插头，以在有源区之间、栅极之间或者有源区和栅极之间相互连接；在第一层间绝缘膜中形成第二孔；在第二孔中形成金属膜，以形成第二插头，以电连接至任一有源区；形成覆盖第一插头和第二插头的第二层间绝缘膜；根据双镶嵌工艺在第二层间绝缘膜上形成双镶嵌结构。通过此结构，可改进光到光电转换元件上的入射效率。

主权项

一种光电转换装置的制造方法，该光电转换装置包括：半导体基板；光电转换元件和MOS晶体管，其布置在半导体基板中；和多层配线结构，包括具有多个配线的多个配线层的叠层和使配线层彼此隔离的层间绝缘膜，其中，所述制造方法包括如下步骤：形成MOS晶体管的栅极和多个有源区；在半导体基板上形成第一层间绝缘膜；在第一层间绝缘膜中形成第一孔；在第一孔中形成金属膜，以形成第一插头，所述第一插头用于在多个有源区之间、多个MOS晶体管的栅极之间或者有源区和MOS晶体管的栅极之间进行相互连接；在第一层间绝缘膜中形成第二孔；在第二孔中形成金属膜，以形成第二插头，所述第二插头用于电连接至多个有源区中的任何一个有源区；形成覆盖第一插头和第二插头的第二层间绝缘膜；以及根据双镶嵌工艺在第二层间绝缘膜上形成双镶嵌结构。