[发明专利]含巯基的低倍多聚硅氧烷化合物及其紫外光刻胶组合物以及压印工艺有效
| 申请号： | 201110042711.1 | 申请日： | 2011-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN102174059A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 林宏;姜学松;孙利达;王瑞;印杰;锻治诚 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学;日立化成工业株式会社 |
| 主分类号： | C07F7/21 | 分类号： | C07F7/21;G03F7/075 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种微纳米加工技术领域含巯基的低倍多聚硅氧烷化合物及其紫外光刻胶组合物以及压印工艺，包含如通式(1)所示的含巯基的低倍多聚硅氧烷化合物及其紫外光刻胶组合物以及压印工艺，该组合物是低收缩、低粘度、高抗氧刻蚀的紫外光刻胶组合物，(SiO1.5R1)m·(SiO1.5R2)n (1)，其中R1为-CH2-CH2-CH2-SH；R2分别为无取代或者被取代基取代的烷基、无取代或者被取代基取代的芳香基、无取代或者被取代基取代的烷氧基，所述取代基为卤素，m表示3～12的整数，n表示0～12的整数。 | ||
| 搜索关键词： | 巯基 低倍多聚硅氧烷 化合物 及其 紫外 光刻 组合 以及 压印 工艺 | ||
【主权项】：
一种含巯基的低倍多聚硅氧烷化合物，其特征在于，其化学式为：(SiO1.5R1)m·(SiO1.5R2)n，其中：R1为‑CH2‑CH2‑CH2‑SH，R2分别为无取代或被卤素取代的烷基、无取代或被卤素取代的芳香基或无取代或被卤素取代的烷氧基中的一种，m表示3～12的整数，n表示0～12的整数。
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