[发明专利]无铅二极管的台面制作工艺无效
| 申请号： | 201110042886.2 | 申请日： | 2011-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN102543721A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 陆国华;吴亚红;陈炎 | 申请（专利权）人： | 如皋市日鑫电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 赵绍增 |
| 地址： | 226500 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无铅二极管的台面制作工艺，其特征在于：所述无铅二极管芯片的台面直接用强碱进行两次腐蚀完成；所述第一次腐蚀是用质量浓度为8-15%的强碱在温度为70-95℃，时间为5-15分钟的条件下腐蚀；第二次腐蚀是用质量浓度为2-6%的强碱在腐蚀温度为70-95℃，时间为5-15分钟的条件下进行腐蚀。本发明的优点在于：以上工艺制作的为无铅二极管，在减少了专利号为2009101346788，专利名称为无铅二极管的台面制作工艺的后续的酸洗步骤后，不但能解决酸与无铅焊片反应导致产品断裂的问题，保证了产品的高温焊接为265±5℃/10秒，还能达到与上述专利工艺制作的台面各方面的性能等同的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 台面 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种无铅二极管的台面制作工艺，其特征在于：所述无铅二极管芯片的台面直接用强碱进行两次腐蚀完成；所述第一次腐蚀是用质量浓度为8‑15%的强碱在温度为70‑95℃，时间为5‑15分钟的条件下腐蚀；第二次腐蚀是用质量浓度为2‑6%的强碱在腐蚀温度为70‑95℃，时间为5‑15分钟的条件下进行腐蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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