[发明专利]碳化硅衬底的制造方法无效
| 申请号： | 201110042966.8 | 申请日： | 2011-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN102162134A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 渡边弘纪;木藤泰男;山本建策;高谷秀史;杉本雅裕;森本淳;渡边行彦;副岛成雅;石川刚 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装;丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;H01L21/02;H01L21/08 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在碳化硅衬底的制造方法中，制备由碳化硅制成的含缺陷的衬底(2)。含缺陷的衬底(2)具有前表面、与前表面相对的后表面、和接近于前表面的表面部分(2a)。含缺陷的衬底(2)在表面部分(2a)包括螺型位错。对含缺陷的衬底(2)的前表面施加外力从而减少表面部分(2a)的结晶性。施加外力后，热处理含缺陷的衬底(2)从而恢复表面部分(2a)的结晶性。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 衬底 制造 方法 | ||
【主权项】：
碳化硅衬底的制造方法，包括：制备由碳化硅制成的含缺陷的衬底(2)，含缺陷的衬底(2)具有前表面、与所述前表面相对的后表面、和接近于所述前表面的表面部分(2a)，含缺陷的衬底(2)在表面部分(2a)包括螺型位错；对含缺陷的衬底(2)的所述前表面施加外力以减少表面部分(2a)的结晶性；和施加外力后热处理含缺陷的衬底(2)以恢复表面部分(2a)的结晶性。
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