[发明专利]基于固结磨料抛光垫的软脆LBO晶体的加工方法有效

专利信息
申请号: 201110043009.7 申请日: 2011-02-23
公开(公告)号: CN102172879A 公开(公告)日: 2011-09-07
发明(设计)人: 李军;朱永伟;左敦稳;李标;张彦;高平;孙玉利 申请(专利权)人: 南京航空航天大学
主分类号: B24B29/02 分类号: B24B29/02;B24B1/00;B24B7/24;C09G1/18
代理公司: 南京天华专利代理有限责任公司 32218 代理人: 瞿网兰
地址: 210016 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种基于固结磨料抛光垫的软脆LBO晶体的加工方法,其特征是它包括以下步骤:首先,用粒度不大于14微米的金刚石固结磨料抛光垫对LBO晶体进行粗抛光加工,抛光加工过程中控制抛光压力为50~600g/cm2,抛光机的转速控制在10~200rpm,并控制抛光所用的抛光液的PH值在2~6之间,抛光液的温度介于20~30℃,完成LBO晶体的粗抛光;其次,再用粒度不大于3微米的氧化铈固结磨料抛光垫对上述粗加工所得的LBO晶体进行精抛光加工,精抛光加工过程中控制抛光压力在50~600g/cm2之间,抛光转速控制在10~200rpm之间,同时调节抛光所用的抛光液的pH值在2~6之间,控制抛光液的温度在20~30℃之间,直至表面质量满足设定要求。本发明加工效率高,成品合格率高,不会造成环境污染。
搜索关键词: 基于 固结 磨料 抛光 lbo 晶体 加工 方法
【主权项】:
一种基于固结磨料抛光垫的软脆LBO晶体的加工方法,其特征是它包括以下步骤:首先,用粒度不大于14微米的金刚石固结磨料抛光垫对LBO晶体进行粗抛光加工,抛光加工过程中控制抛光压力为50~600g/cm2,抛光机的转速控制在10~200rpm,并控制抛光所用的抛光液的PH值在2~6之间,抛光液的温度介于20~30℃,完成LBO晶体的粗抛光;其次,再用粒度不大于3微米的氧化铈固结磨料抛光垫对上述粗抛光所得的LBO晶体进行精抛光加工,精抛光加工过程中控制抛光压力在50~600g/cm2之间,抛光转速控制在10~200rpm之间,同时调节抛光所用的抛光液的PH值在2~6之间,控制抛光液的温度在20~30℃之间,直至表面粗糙度满足设定要求。
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