[发明专利]制造MEMS器件的方法以及为此使用的衬底无效
| 申请号： | 201110043033.0 | 申请日： | 2011-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN102190285A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 井上广章;中谷忠司;上田知史 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开一种制造MEMS器件的方法以及为此使用的衬底。一种用于制造MEMS器件的方法，包括：制备具有第一衬底和第二衬底的衬底，其中在第一衬底中形成腔体，第二衬底被结合到第一衬底的、其上形成腔体的那一侧，并且包括在与腔体相对应的位置对可移动部分进行划界的狭缝，第二衬底包括面向第一衬底的第一表面并且设置有选择性地在与移动部分相对应的位置中形成在第一表面上的热氧化膜；在第二表面上形成第一电极层，该第二表面与其上形成用于可移动部分的热氧化膜第一表面相反；在第一电极层和第二衬底上形成牺牲层；在牺牲层上形成第二电极层；以及在形成第二电极层之后移除牺牲层和热氧化膜。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 mems 器件 方法 以及 为此 使用 衬底 | ||
【主权项】：
一种用于制造MEMS器件的方法，包括：制备具有第一衬底和第二衬底的衬底，在所述第一衬底中形成腔体，所述第二衬底被结合到所述第一衬底的、其上形成所述腔体的那一侧，并且包括在与所述腔体相对应的位置对可移动部分进行划界的狭缝，所述第二衬底包括面向所述第一衬底的第一表面并且设置有选择性地在与所述移动部分相对应的位置中形成在所述第一表面上的热氧化膜；在第二表面上形成第一电极层，所述第二表面与其上形成用于所述可移动部分的所述热氧化膜的所述第一表面相反；在所述第一电极层和第二衬底上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成第二电极层；以及在形成所述第二电极层之后移除所述牺牲层和所述热氧化膜。
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