[发明专利]晶硅太阳能电池的制造方法无效

专利信息
申请号: 201110043670.8 申请日: 2011-02-23
公开(公告)号: CN102651406A 公开(公告)日: 2012-08-29
发明(设计)人: 陈威有;柳彦志;李济群 申请(专利权)人: 茂迪股份有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L21/311
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种晶硅太阳能电池的制造方法,包括将硅基材粗糙化、于粗糙化后的硅基材表面形成多个间隔排列的接面区块、利用蚀刻方法将未被所述接面区块覆盖的硅基材表面平坦化以及通过平坦化后所获得的反射辨识度较高的平坦表面做网印电极前的对位,然后将导电材料网印于未被所述接面区块覆盖的其余区域上。本发明在硅基材上形成粗糙与平坦化区域,当以预定光源照射硅基材时,便可因表面微结构的差异而显现出高对比性的图形,以利于网印步骤时的对位。
搜索关键词: 太阳能电池 制造 方法
【主权项】:
一种晶硅太阳能电池的制造方法,包括:基材粗化步骤,用以将硅基材表面粗糙化;接面区块成型步骤,用以于粗糙化的硅基材表面形成多个相间隔的接面区块;及对位网印步骤;其特征在于,该制造方法还包括在该接面区块成型步骤后以及该对位网印步骤前的电极线路区域平坦化步骤,用以将未被所述接面区块覆盖的硅基材表面平坦化以提供较该粗糙化的硅基材表面高的反射辨识度,而该对位网印步骤通过反射辨识度高的平坦化的硅基材表面做网印电极前的对位,并在对位后将导电材料网印于该平坦化的硅基材表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于茂迪股份有限公司,未经茂迪股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110043670.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top