[发明专利]晶硅太阳能电池的制造方法无效
申请号: | 201110043670.8 | 申请日: | 2011-02-23 |
公开(公告)号: | CN102651406A | 公开(公告)日: | 2012-08-29 |
发明(设计)人: | 陈威有;柳彦志;李济群 | 申请(专利权)人: | 茂迪股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L21/311 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种晶硅太阳能电池的制造方法,包括将硅基材粗糙化、于粗糙化后的硅基材表面形成多个间隔排列的接面区块、利用蚀刻方法将未被所述接面区块覆盖的硅基材表面平坦化以及通过平坦化后所获得的反射辨识度较高的平坦表面做网印电极前的对位,然后将导电材料网印于未被所述接面区块覆盖的其余区域上。本发明在硅基材上形成粗糙与平坦化区域,当以预定光源照射硅基材时,便可因表面微结构的差异而显现出高对比性的图形,以利于网印步骤时的对位。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种晶硅太阳能电池的制造方法,包括:基材粗化步骤,用以将硅基材表面粗糙化;接面区块成型步骤,用以于粗糙化的硅基材表面形成多个相间隔的接面区块;及对位网印步骤;其特征在于,该制造方法还包括在该接面区块成型步骤后以及该对位网印步骤前的电极线路区域平坦化步骤,用以将未被所述接面区块覆盖的硅基材表面平坦化以提供较该粗糙化的硅基材表面高的反射辨识度,而该对位网印步骤通过反射辨识度高的平坦化的硅基材表面做网印电极前的对位,并在对位后将导电材料网印于该平坦化的硅基材表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的