[发明专利]黄铜矿膜的制造方法无效
| 申请号： | 201110044097.2 | 申请日： | 2011-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN102163632A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 柳沼希世史;峯元高志;堤圭司 | 申请（专利权）人： | 住友金属矿山株式会社;学校法人立命馆 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;H01L21/324 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 菅兴成;吴小瑛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明不使用含有VIb族元素的气体环境，仅通过加热处理使Ib族金属和IIIb属金属与VIb族元素充分化合，从而以安全性高的方法获得黄铜矿膜。在形成于基板(2)的下部电极(3)上，形成由Ib-IIIb-VIb族化合物构成的黄铜矿膜(10)的方法：预先在下部电极(3)上形成含有Ib族金属和IIIb族金属的前驱膜(7)，在前驱膜(7)上沉积VIb族元素(9)，在沉积有VIb族元素(9)的前驱膜(7)上设置盖体(8)，在将Ib族金属、IIIb族金属以及VIb族元素配置在下部电极(3)与盖体(8)之间的状态下，在非活性气体环境中进行加热处理，使Ib族金属和IIIb族金属与VIb族元素进行化合。 | ||
| 搜索关键词： | 黄铜矿 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种黄铜矿膜的制造方法，通过加热处理使Ib族金属和IIIb族金属与VIb族元素进行化合，从而在形成于基板上的下部电极上，制造由Ib‑IIIb‑VIb族化合物构成的黄铜矿膜的方法，其特征在于，在将前述Ib族金属、IIIb族金属以及VIb族元素配置在盖体和形成于前述基板上的下部电极之间的状态下，在非活性气体环境中进行加热处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友金属矿山株式会社;学校法人立命馆，未经住友金属矿山株式会社;学校法人立命馆许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110044097.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
