[发明专利]具有掩埋栅的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110044421.0 | 申请日： | 2011-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN102569248B | 公开（公告）日： | 2017-07-25 |
| 发明（设计）人： | 辛锺汉;朴宝旻 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 郭放,张文 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件，包括掩埋栅，所述掩埋栅形成在衬底之上；存储节点接触插塞，所述存储节点接触插塞形成在衬底之上并包括柱图案和布置在柱图案之上的线图案；以及位线结构，所述位线结构形成在衬底之上并使存储节点接触插塞中相邻的存储节点接触插塞彼此隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掩埋 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：掩埋栅，所述掩埋栅形成在衬底之上；存储节点接触插塞，所述存储节点接触插塞形成在所述衬底之上并包括柱图案和布置在所述柱图案之上的线图案；以及位线结构，所述位线结构形成在所述衬底之上并使所述存储节点接触插塞中相邻的存储节点接触插塞彼此隔离,其中，从俯视所述半导体器件的方向看，所述线图案的横截面积大于所述柱图案的横截面积。
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