[发明专利]用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201110044658.9 | 申请日： | 2009-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN102136500A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 须泽英臣;笹川慎也;村冈大河 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/77 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是建立用于制造使用氧化物半导体的半导体器件的加工技术。在衬底上方形成栅电极，在栅电极上方形成栅绝缘层，在栅绝缘层上方形成氧化物半导体层，通过湿法蚀刻加工氧化物半导体层以形成岛状氧化物半导体层，形成导电层以覆盖岛状氧化物半导体层，通过第一干法蚀刻加工导电层以形成源电极和漏电极，并且通过第二干法蚀刻去除岛状氧化物半导体层的一部分、或者通过干法蚀刻加工导电层以形成源电极和漏电极，并且通过所述干法蚀刻去除岛状氧化物半导体层的一部分以在岛状氧化物半导体层中形成凹陷部分。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，包含以下步骤：形成半导体层，所述半导体层包括氧化物半导体，所述氧化物半导体包括铟；通过湿法蚀刻加工所述半导体层以形成岛状半导体层；以及通过干法蚀刻加工所述岛状半导体层以在所述岛状半导体层中形成凹陷部分。
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