[发明专利]红外探成像装置及其制备方法无效
| 申请号： | 201110045085.1 | 申请日： | 2011-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN102651298A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 董立军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01J31/49 | 分类号： | H01J31/49;H01J29/08;H01J9/20 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 郑瑜生 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种红外探成像装置及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：a)提供一个荧光屏；b)提供一个硅衬底，其中在硅衬底与荧光屏之间施加有第一固定电压；c)在硅衬底上设置微尖端，用于在第一固定电压产生的电场作用下发射电子对荧光屏进行轰击；以及d)在微尖端上连接有具有不同热膨胀系数的双材料梁，其中双材料梁与硅衬底之间施加有第二固定电压，以在红外辐射导致双材料梁产生弯曲时，施加在微尖端的电场强度随之改变，微尖端场发射的电子数随电场强度的变化发生改变，从而改变荧光屏的亮度来产生图像变化。本发明具有图像处理损耗低、成本低以及便携性好的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 红外 成像 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种红外探成像装置，其特征在于，所述红外探成像装置包括：荧光屏；硅衬底，所述硅衬底与荧光屏之间施加有第一固定电压；设置在硅衬底上的微尖端，用于在所述第一固定电压产生的电场作用下发射电子对荧光屏进行轰击；具有不同热膨胀系数的双材料梁，所述双材料梁与所述微尖端连接，并且与所述硅衬底之间施加有第二固定电压，以在红外辐射导致所述双材料梁产生弯曲时，施加在微尖端的电场强度随之改变，微尖端场发射电子数随电场强度的变化发生改变，从而改变荧光屏的亮度来产生图像变化。
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