[发明专利]石墨烯与六方氮化硼薄片及其相关方法无效
申请号: | 201110045373.7 | 申请日: | 2011-02-24 |
公开(公告)号: | CN102190295A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 于建沛;宋健民;林逸樵;胡绍中 | 申请(专利权)人: | 宋健民 |
主分类号: | C01B31/04 | 分类号: | C01B31/04 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 韩蕾 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明涉及一种石墨烯与六方氮化硼薄片及其相关方法,尤其涉及以sp2键结原子构成的石墨层以及其相关方法。在一方面,举例而言,一形成石墨层的方法可包含有在真空状态下加热一固态金属基材料达一溶解温度,其中该溶解温度低于该固态金属基材的熔点;将一石墨来源的碳原子溶解到该被加热的固态金属基材之中;以及以一充足的速率冷却该被加热的固态金属基材以使得该溶解的碳原子形成一石墨层到该固态金属基材的至少一表面上,其中所形成的石墨层大致上不具有晶格缺陷。 | ||
搜索关键词: | 石墨 氮化 薄片 及其 相关 方法 | ||
【主权项】:
一种形成石墨层的方法,其包含有:在真空状态下加热一固态金属基材料达一溶解温度,其中该溶解温度低于该固态金属基材的熔点;将一石墨来源的碳原子溶解到所述被加热的固态金属基材之中;以及以一充足的速率冷却所述被加热的固态金属基材以使得所述溶解的碳原子形成一石墨层到所述固态金属基材的至少一表面上,其中所形成的石墨层大致上不具有晶格缺陷。
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