[发明专利]半导体发光元件有效
| 申请号： | 201110046839.5 | 申请日： | 2011-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN102169942A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 神谷真央;长谷川恭孝 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 陈炜;李德山 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体发光元件，包括：半导体层积体，该半导体层积体按顺序包括第一导电型层、发光层和第二导电型层；形成在第一导电型层上且包括氧化物的透明电极；以及形成在第一导电型层与透明电极之间的辅助电极，该辅助电极与该透明电极相比具有更高的针对从发光层发射的光的反射率、更大的与第一导电型层之间的接触电阻、以及更小的薄层电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件，包括：半导体层积体，所述半导体层积体按顺序包括第一导电型层、发光层和第二导电型层；透明电极，所述透明电极形成在所述第一导电型层上，且包括氧化物；以及辅助电极，所述辅助电极形成在所述第一导电型层与所述透明电极之间，所述辅助电极与所述透明电极相比具有更高的针对从所述发光层发射的光的反射率、更大的与所述第一导电型层之间的接触电阻、以及更小的薄层电阻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于丰田合成株式会社，未经丰田合成株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110046839.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种阿魏酸降糖复盐及其制备方法和用途
- 下一篇：制备孟鲁司特钠盐的方法
