[发明专利]一种晶向旋转键合晶片的制备方法无效
| 申请号： | 201110047282.7 | 申请日： | 2011-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102651306A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 张苗;薛忠营;张波;魏星;狄增峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶向旋转键合晶片的制备方法，该方法包括以下步骤：首先取两片相同晶向的体硅晶片，在其中一片体硅晶片上生长固定组分的SiGe层，在SiGe层上继续外延生长Si膜层形成器件片，另一片体硅晶片作为支撑片；然后将器件片和支撑片的表面都进行疏水处理；再将器件片与支撑片键合，键合时使器件片与支撑片的主参考面错开一定角度；之后从背面研磨键合片中器件片的体硅晶片部分，然后进行第一选择性腐蚀去除器件片的全部体硅晶片部分，到SiGe层停止，再进行第二选择性腐蚀去除SiGe层，留下Si膜层，从而形成晶向旋转键合硅晶片。该方法制作成本较低，顶层硅厚度可调，晶体质量良好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 旋转 晶片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种晶向旋转键合晶片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、取两片具有主参考面的，相同晶向的体硅晶片，在其中一片体硅晶片上生长固定组分的SiGe层，然后在SiGe层上继续外延生长Si膜层形成器件片，另一片体硅晶片作为支撑片待用；步骤二、将器件片和支撑片的表面都进行疏水处理；步骤三、将疏水处理后的器件片的Si膜层表面与支撑片键合形成键合片，键合时使器件片与支撑片的主参考面错开；步骤四、利用研磨技术从背面研磨键合片中器件片的体硅晶片部分，然后进行第一选择性腐蚀去除器件片的全部体硅晶片部分，到SiGe层停止，再进行第二选择性腐蚀去除SiGe层，留下Si膜层，从而形成晶向旋转键合硅晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
