[发明专利]使用硅化的金属栅极电极以及其形成方法有效
| 申请号： | 201110047290.1 | 申请日： | 2003-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN102157362A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | W·P·毛萨尔拉;Z·克里沃卡皮奇 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;靳强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种使用硅化的金属栅极电极以及其形成方法。本发明的半导体装置由提供基材(32)，并在基材(32)上提供介电层(34)而制成。多晶硅体(36)设于介电层(34)上，而金属层(60)则设于多晶硅体(36)上。进行硅化过程以大致上硅化整个多晶硅体(36)，然后在介电层(34)上形成栅极(62)。在另一个制程中，帽罩层(90)设于多晶硅体(86)上，而此帽罩层(90)在硅化过程之前被移除。在二个实施例中，在硅化过程之前，多晶硅体掺杂着选定的物种，在硅化过程中掺杂剂驱往介电层以形成栅极部位，其毗邻于电介质处具有高浓度的掺杂物。物种的型式与浓度可用作对于决定形成的栅极的功函数的手段。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 金属 栅极 电极 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体结构的方法，其特征在于：提供基材(82)；在该基材(82)上提供电介质(84)；在该电介质(84)上提供多晶硅体(86)，该多晶硅体(86)含有掺杂物(89)；在该多晶硅体(86)上提供帽罩层(90)；以该帽罩层(90)和该多晶硅体(86)做为光罩，将另一种掺杂物(98)导入该基材(82)之内；从该多晶硅体(86)上去除该帽罩层(90)；在该多晶硅体(86)上提供金属层(120)；经历硅化过程以实质上在整个该多晶硅体(86)上进行硅化，以在该电介质(84)上形成栅极(122)；以及在该多晶硅体(86)内选择掺杂物(89)，该掺杂物的选择取决于该栅极(122)所需的功函数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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