[发明专利]浅沟槽隔离及其形成方法无效
| 申请号： | 201110048000.5 | 申请日： | 2011-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102651332A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;徐秋霞;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种浅沟槽隔离及其形成方法，该浅沟槽隔离包括：衬底，所述衬底具有第一区域和第二区域；所述第一区域的衬底内的第一沟槽，以及所述第二区域的衬底内的第二沟槽；所述第一沟槽内壁上的第一应力绝缘层，以及所述第二沟槽内壁上的第二应力绝缘层，其中，第一应力绝缘层具有与第二应力绝缘层不同的应力绝缘材料；所述第一应力绝缘层上的第一填充层，以及所述第二应力绝缘层上的第二填充层。本发明对第一区域和第二区域的浅沟槽隔离，采用具有不同应力作用的应力绝缘材料，解决了浅沟槽隔离不能满足不同类型器件不同应力要求的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽隔离，所述浅沟槽隔离包括：衬底，所述衬底具有第一区域和第二区域；所述第一区域的衬底内的第一沟槽，以及所述第二区域的衬底内的第二沟槽；所述第一沟槽内壁上的第一应力绝缘层，以及所述第二沟槽内壁上的第二应力绝缘层，其中，第一应力绝缘层具有与第二应力绝缘层不同的应力绝缘材料；所述第一应力绝缘层上的第一填充层，以及所述第二应力绝缘层上的第二填充层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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