[发明专利]一种铂电阻芯片及铂电阻芯片的制备方法无效
| 申请号： | 201110048220.8 | 申请日： | 2011-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN102176356A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 吴新潮;段利庆 | 申请（专利权）人： | 西安天衡计量仪表有限公司 |
| 主分类号： | H01C3/12 | 分类号： | H01C3/12;H01C1/012;H01C1/144;H01C17/00;H01C17/12;H01C17/242;H01C17/30 |
| 代理公司： | 西安西达专利代理有限责任公司 61202 | 代理人： | 刘华 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铂电阻芯片及制备方法。该铂电阻芯片包括在陶瓷基片3上沉积铂丝电阻体，铂丝电阻体上切割成长方锯齿形电阻细丝，电阻体设引线焊接点，引线焊接点一端与电阻细丝连接，另一端与镀铂镍线引线连接。方法包括：按质量比称取纯金属铂粉与氢氟酸混合，搅拌制成纯金属铂浆料；采用激光喷溅工艺将纯金属铂浆料喷射到陶瓷基片上；用激光切割铂金层成细丝；用激光调整细丝的阻值，细丝两端焊接镀铂镍线作为引线，与基片呈一体化独石结构，即成ptl000铂电阻芯片。结构简单，成本低，生产效率高，电阻值分散性小，测温范围：-50℃～450℃；耐高温性：可长期工作在300℃，广泛用于制造各种不同规格及不同金属材质的电阻芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铂电阻 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铂电阻芯片，其特征在于该铂电阻芯片包括在陶瓷基片3上沉积有铂丝电阻体2，所述在铂丝电阻体2上切割成长方锯齿形电阻细丝1，所述电阻体2设有引线焊接点4，引线焊接点4一端与电阻细丝1连接，另一端与镀铂镍线引线连接，所述陶瓷基片3的长为3.2±0.1mm，宽为2.1±0.1mm，厚为1.0±0.1mm，镀铂镍线引线长度为10±1mm，引线直径φ0.2±0.02mm。
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