[发明专利]半导体器件和提高电熔断器的电阻值的方法

摘要

所提供的是一种具有电熔断器结构的半导体器件，所述电熔断器结构接收电流的供给以便可以在不损坏熔断器周围部分的情况下被切断。电熔断器电连接在电路和作为备用电路的冗余电路之间。在利用树脂密封这些电路之后，熔断器可以通过从外部接收电流的供给而被切断。电熔断器形成在精细层中，且由主布线和阻挡膜制成。主布线和阻挡膜中每一个的线性膨胀系数大于每一个绝缘层的线性膨胀系数。主布线和阻挡膜中每一个的熔点低于每一个绝缘层的熔点。

主权项

一种半导体器件，包括：第一绝缘层；第一沟槽，其形成在所述第一绝缘层中；第二沟槽，其形成在所述第一绝缘层中；电熔断器，其包括形成在所述第一沟槽的底表面和所述第一沟槽的侧壁上的第一阻挡金属，以及形成在所述第一阻挡金属上且填充在所述第一沟槽中的第一铜金属，所述电熔断器的电阻值可以通过向所述电熔断器施加电流来控制；第一布线，其包括形成在所述第二沟槽的底表面和所述第二沟槽的侧壁上的第二阻挡金属，以及形成在所述第二阻挡金属上且填充在所述第二沟槽中的第二铜金属；第二绝缘层，其形成在所述第一绝缘层、所述电熔断器和所述第一布线上；以及第三绝缘层，其形成在所述第二绝缘层上，第三沟槽，其形成在所述第三绝缘层中；第二布线，其形成在所述第三沟槽中；第四绝缘层，其形成在所述第三绝缘层上方；第四沟槽，其形成在所述第四绝缘层中；以及第三布线，其形成在所述第四沟槽中；其中，所述第一布线的第一厚度比所述第三布线的第三厚度薄，并且所述第二布线的第二厚度比所述第三布线的第三厚度薄；并且其中所述第一绝缘层和所述第三绝缘层的相对介电常数为3或更小。