[发明专利]高频功率放大器及其工作方法有效
| 申请号： | 201110048769.7 | 申请日： | 2011-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN102170270A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 太田生马;林范雄;筒井孝幸;森泽文雅;长谷昌俊 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H03F3/195 | 分类号： | H03F3/195;H03F1/30 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;于英慧 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种高频功率放大器，其在半导体芯片上具有：与偏置控制电路(112)电流镜连接的偏置晶体管(516)和放大晶体管(513)；以及具有复制晶体管(421)的栅极长度监视电路(101)。放大晶体管(513)放大RF信号，并向偏置晶体管(516)供给偏置控制电路(112)的偏置电流。偏置晶体管(516)、放大晶体管(513)、复制晶体管(421)通过相同的半导体制造过程形成，具有相同的栅极长度偏差。栅极长度监视电路(101)生成依赖于栅极长度L的检测电压Vmon，偏置控制电路(112)根据检测电压来控制偏置电流，补偿放大晶体管(513)的跨导对栅极长度的依赖性。根据本发明，能够减轻功率放大场效应晶体管的对栅极长度的依赖性导致的功率增益变动。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 功率放大器 及其 工作 方法 | ||
【主权项】：
一种高频功率放大器，在半导体芯片上具有：被进行了电流镜连接的偏置场效应晶体管和功率放大场效应晶体管；和偏置控制电路，所述高频功率放大器的特征在于，上述功率放大场效应晶体管具有：能够与接地电位连接的源极端子；能够供给高频输入信号的栅极端子；以及能够生成高频放大输出信号的漏极端子，能够向上述偏置场效应晶体管供给从上述偏置控制电路生成的偏置电流，上述偏置场效应晶体管的栅极‑源极间电压能够被供给到上述功率放大场效应晶体管的上述栅极端子与上述源极端子之间，在上述半导体芯片上还具有包括放大器复制晶体管的栅极长度监视电路，在上述半导体芯片上用相同的半导体制造过程来形成上述放大器复制晶体管、上述偏置场效应晶体管以及上述功率放大场效应晶体管，上述放大器复制晶体管、上述偏置场效应晶体管以及上述功率放大场效应晶体管具有大致相同的栅极长度偏差，上述栅极长度监视电路生成通过上述放大器复制晶体管来检测的依赖于上述栅极长度的检测电压，由上述栅极长度监视电路生成的上述检测电压控制上述偏置控制电路，当上述栅极长度具有偏差时，通过上述偏置控制电路根据上述检测电压控制上述偏置电流的值来补偿上述功率放大场效应晶体管的跨导对上述栅极长度的依赖性。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社，未经瑞萨电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110048769.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
