[发明专利]压控振荡器、用于检测工艺波动的测试系统及其测试方法有效
| 申请号： | 201110049350.3 | 申请日： | 2011-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN102655410A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;董庆 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H03L7/099 | 分类号： | H03L7/099;G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子技术领域，具体为一种压控振荡器（VCO）、用于检测工艺波动的测试系统及其测试方法。该VCO包括环形振荡器以及流控MOS管，所述环形振荡器包括奇数个CMOS反相器；其中，在流控MOS管的栅端偏置电压以使其工作于亚阈值区、进而控制流经其中一个CMOS反相器的电流，使所述压控振荡器的输出频率反映流控MOS管的阈值电压。所述测试系统基于所述的VCO形成。通过本发明的测试方法来测试芯片中不同MOS管之间的阈值电压的随机波动值。本发明的VCO电路简单，易于数字化实现。并且基于VCO的测试系统在测试工艺波动时，可以得到灵敏度很高的阈值电压随机波动值，测试准确性好。 | ||
| 搜索关键词： | 压控振荡器 用于 检测 工艺 波动 测试 系统 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种压控振荡器，其特征在于包括环形振荡器以及流控MOS管，所述环形振荡器包括多个CMOS反相器，其中，在所述流控MOS管的栅端偏置电压以使其工作于亚阈值区、进而控制流经一个所述CMOS反相器的电流，以使所述压控振荡器的输出频率反映所述流控MOS管的阈值电压。
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