[发明专利]半导体器件结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201110050086.5 | 申请日： | 2011-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN102655213A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 商立伟;姬濯宇;王艳花;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/10;H01L51/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件结构及其制备方法。该结构包括绝缘衬底、栅电极、栅介质层、源漏电极、修饰层和有机半导体层。栅电极位于绝缘衬底的上表面，栅介质层位于栅电极的上表面，源漏电极位于栅介质层的上表面，修饰层覆盖栅介质的上表面和源漏电极的上表面，有机半导体层覆盖在修饰层的上表面。该结构的特点在于通过氧化工艺使得金属电极表面生长了一层0.1至5纳米的氧化物薄膜，使得金属电极的表面特性发生转变，变得与栅介质层的表面特性类似，从而可以采用相同的表面改性材料对金属表面和栅介质层表面进行修饰，使得有机半导体薄膜与金属电极和栅介质层之间形成相同的界面，可以有效地改善有机半导体薄膜的生长质量，提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件结构，其特征在于，包括：绝缘衬底；位于该绝缘衬底之上的栅电极；覆盖于该绝缘衬底及该栅电极之上的栅介质层；位于该栅介质层之上的源漏电极；覆盖于该源漏电极上表面及侧面的金属氧化物层；覆盖于该栅介质层及该金属氧化物层之上的修饰层；以及覆盖于该修饰层之上的有机半导体层。
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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