[发明专利]电沉积法制备铜铟硫薄膜材料无效
| 申请号： | 201110050552.X | 申请日： | 2011-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN102653873A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 元炯亮;邵婵 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C25D3/58 | 分类号： | C25D3/58;C25D5/50;H01L31/032;H01L31/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铜铟硫薄膜的制备方法，属于光电材料技术领域。其主要特征是：采用电化学沉积法制备铜铟合金膜，再通过硫化退火的方法得到铜铟硫合金膜。本发明制得的铜铟硫薄膜不含杂相，表面呈柱状颗粒并且致密均匀的连结在一起；吸收系数可达到105cm-1数量级，禁带宽度接近太阳能电池材料所需的最佳值1.45eV，是一种简单、经济、环保的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 法制 备铜铟硫 薄膜 材料 | ||
【主权项】：
一种恒电位沉积制备铜铟硫薄膜材料的方法，其特征在于：在恒定电位下共沉积得到铜铟合金膜，通过硫化退火的方法引入硫源得到铜铟硫半导体薄膜。
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