[发明专利]使用微波的低温介电流动无效
| 申请号： | 201110050553.4 | 申请日： | 2011-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN102194687A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·J.·珀特尔 | 申请（专利权）人： | 仙童半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京邦信阳专利商标代理有限公司 11012 | 代理人： | 王昭林;崔华 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了半导体器件和用于制作这种器件的方法。半导体器件包含已通过应用微波能量而实现沉积和/或流动的介电层(“MW介电层”)。介电层可通过以下方式制成：在反应室中提供衬底；在反应室中使前体气体混合物(包含用于反应以形成介电材料的原子)流动；然后使气体混合物承受一定频率和功率密度的微波能量而足以使得前体气体混合物的原子发生反应和沉积以在衬底上形成介电层。而且，所述器件可通过以下方式制成：在已经沉积的介电膜上施加一定频率和功率密度的微波能量而足以使得沉积的介电材料的原子流动。使用微波能量允许使用低温处理形成介电层，从而为半导体器件提供了多种益处以及处理流程效率和低成本。还描述了其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 微波 低温 流动 | ||
【主权项】：
一种用于制作介电层的方法，包括：在沉积室中提供衬底；在所述沉积室中提供前体气体混合物，所述前体气体混合物包含用于反应以形成介电材料的原子；和提供一定频率的微波能量而足以使得所述前体气体混合物的原子发生反应和使介电层沉积在所述衬底的一部分上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
