[发明专利]磁场检测设备及其使用方法有效
申请号: | 201110050869.3 | 申请日: | 2011-02-25 |
公开(公告)号: | CN102169728A | 公开(公告)日: | 2011-08-31 |
发明(设计)人: | W·H·巴特勒;D·V·季米特洛夫 | 申请(专利权)人: | 希捷科技有限公司;阿拉巴马大学 |
主分类号: | G11C29/00 | 分类号: | G11C29/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 姬利永 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 公开了一种具有主轴的设备,包括:磁阻堆栈,该磁阻堆栈具有第一和第二相对表面,该磁阻堆栈包括自由层、分隔层、和参考层,其中分隔层位于自由层和参考层之间,自由层包括在第一平面中具有自由磁取向的磁性材料,分隔层包括非磁性材料,并且参考层包括在第二平面中具有固定磁取向的磁性材料,其中第二平面垂直于第一平面并平行于设备的主轴;围绕磁阻堆栈外表面至少一部分的绝缘层;围绕绝缘层至少一部分的屏蔽层;以及导电层,其中导电层提供磁阻堆栈与屏蔽层之间的电连接。 | ||
搜索关键词: | 磁场 检测 设备 及其 使用方法 | ||
【主权项】:
一种具有主轴的设备,所述设备包括:磁阻堆栈,所述磁阻堆栈具有第一和第二相对表面,所述磁阻堆栈包括自由层、分隔层和参考层,其中所述分隔层位于所述第一和参考层之间,所述自由层包括在第一平面中具有自由磁取向的磁性材料;所述分隔层包括非磁性材料;以及所述参考层包括在第二平面中具有固定磁取向的磁性材料;其中所述第二平面垂直于所述第一平面并且平行于所述设备的主轴;绝缘层,围绕所述磁阻堆栈的外表面的至少一部分;屏蔽层,围绕所述绝缘层的至少一部分;以及导电层,其中所述导电层提供所述磁阻堆栈与所述屏蔽层之间的电连接。
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