[发明专利]一种超薄结晶硅薄膜太阳电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种超薄结晶硅薄膜太阳电池及其制备方法，所述超薄结晶硅薄膜太阳电池由下而上依次包括衬底、底层掺杂结晶硅层、本征结晶硅层、纳米硅结构光吸收层、顶层掺杂结晶硅层、透明顶电极。所述超薄结晶硅薄膜太阳电池的制备步骤包括：在衬底上沉积底层掺杂结晶硅层；在上述制备的底层掺杂结晶硅层上沉积本征结晶硅层；在上述制备的本征结晶硅层上制备纳米硅结构光吸收层；在上述制备的纳米硅结构光吸收层表面沉积顶层掺杂结晶硅层；将透明顶电极覆盖于在上述顶层掺杂结晶硅层上。本发明在不额外增加抗反射层的前提下，利用纳米硅结构光吸收层提高光吸收和光生载流子收集的效率，从而提高超薄结晶硅薄膜太阳电池的光电转换效率。

主权项

一种超薄结晶硅薄膜太阳电池，由下而上依次包括衬底、衬底上沉积的底层掺杂结晶硅层、底层掺杂结晶硅层上沉积的本征结晶硅层、以及与底层掺杂结晶硅层对应的顶层掺杂结晶硅层，在顶层掺杂结晶硅层上覆盖有透明顶电极，其特征在于，所述本征结晶硅层上设置有纳米硅结构光吸收层，所述顶层掺杂结晶硅层沉积于该纳米硅结构光吸收层的表面。