[发明专利]太阳能电池的制造方法有效
申请号: | 201110050999.7 | 申请日: | 2011-02-25 |
公开(公告)号: | CN102651425A | 公开(公告)日: | 2012-08-29 |
发明(设计)人: | 邱彦凯;郭明锦;蔡锦堂;陈添赐;黄桂武 | 申请(专利权)人: | 昱晶能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/265 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾苗栗县竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明涉及一种太阳能电池的制造方法,其步骤包含对基板的第一表面进行离子布植以形成第一掺杂层,接着对基板的第二表面进行离子布植以形成第二掺杂层,然后对基板、第一掺杂层与第二掺杂层所形成的结构执行退火程序,并通过退火程序形成第一钝化层于该第一掺杂层上与形成第二钝化层于该第二掺杂层上,于经退火程序后所形成的第一钝化层上形成第三钝化层,再于经退火程序后所形成的第二钝化层上形成第四钝化层,然后分别于第三钝化层与第四钝化层上形成导电电极。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池的制造方法,其特征在于,包含:对一基板的一第一表面进行离子布植,以形成一第一掺杂层;对该基板的一第二表面进行离子布植,以形成一第二掺杂层;对该基板、该第一掺杂层与该第二掺杂层所形成的结构执行一退火程序,并通过该退火程序形成一第一钝化层于该第一掺杂层上与形成一第二钝化层于该第二掺杂层上;形成一第三钝化层于经该退火程序后所形成的该第一钝化层上;形成一第四钝化层于经该退火程序后所形成的该第二钝化层上;以及分别形成导电电极于该第三钝化层与该第四钝化层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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